STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V, 3-Pin Hip-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
212-2093
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCTWA40N120G2V-4
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

Hip-247

Series

SCTWA40N120G2V-4

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

70mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Maximum Power Dissipation Pd

277W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

61nC

Forward Voltage Vf

3.3V

Maximum Operating Temperature

200°C

Length

15.9mm

Standards/Approvals

No

Height

5.1mm

Width

21.1 mm

Automotive Standard

No

SiC MOSFET


The STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET with a trench field-stop (TFS) IGBT of the same voltage rating and equivalent on-state resistance. The STPOWER SiC MOSFET exhibits significantly reduced switching losses, even at high temperatures. This enables designer to operate at very high switching frequencies, reducing the size of passive components for smaller form factors.

Very low switching losses

Low power losses at high temperatures

Higher operating temperature (up to 200 ˚C)

Body diode with no recovery losses

Easy to drive

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง