STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V, 3-Pin Hip-247
- RS Stock No.:
- 212-2093
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA40N120G2V-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 212-2093
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA40N120G2V-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 45A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | SCTWA40N120G2V-4 | |
| Package Type | Hip-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 70mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 61nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 277W | |
| Forward Voltage Vf | 3.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Width | 21.1 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.9mm | |
| Height | 5.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 45A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series SCTWA40N120G2V-4 | ||
Package Type Hip-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 61nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 277W | ||
Forward Voltage Vf 3.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Width 21.1 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.9mm | ||
Height 5.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
SiC MOSFET
The STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET with a trench field-stop (TFS) IGBT of the same voltage rating and equivalent on-state resistance. The STPOWER SiC MOSFET exhibits significantly reduced switching losses, even at high temperatures. This enables designer to operate at very high switching frequencies, reducing the size of passive components for smaller form factors.
Very low switching losses
Low power losses at high temperatures
Higher operating temperature (up to 200 ˚C)
Body diode with no recovery losses
Easy to drive
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET 1200 V, 3-Pin Hip-247 SCTWA40N120G2V-4
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT30N120
- STMicroelectronics SCTW35 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTW35 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW35N65G2V
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 3-Pin Hip-247 SCTW35N65G2VAG
- STMicroelectronics SCTW40N Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
