STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET, 33 A, 1.2 kV Depletion, 3-Pin Hip-247 SCTW40N120G2VAG

RS Stock No.:: 202-5489
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCTW40N120G2VAG
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET, 33 A, 1.2 kV Depletion, 3-Pin Hip-247 SCTW40N120G2VAG

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 60 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB20,944.77

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB22,410.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 กรกฎาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*	การประหยัด
30 - 30	THB698.159	THB20,944.77	-
60 - 90	THB682.982	THB20,489.46	2%
120 +	THB667.804	THB20,034.12	4%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 202-5489
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCTW40N120G2VAG
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1.2kV
	Package Type	Hip-247
	Series	SCT
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.105Ω
	Channel Mode	Depletion
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22V
	Forward Voltage Vf	3.4V
	Maximum Power Dissipation Pd	290W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	63nC
	Maximum Operating Temperature	200°C
	Length	15.75mm
	Height	34.95mm
	Width	5.15mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV
	Package Type Hip-247
	Series SCT
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.105Ω
	Channel Mode Depletion
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V
	Forward Voltage Vf 3.4V
	Maximum Power Dissipation Pd 290W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63nC
	Maximum Operating Temperature 200°C
	Length 15.75mm
	Height 34.95mm
	Width 5.15mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SCTW40N120G2VAG

The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET, 33 A, 1.2 kV Depletion, 3-Pin Hip-247 SCTW40N120G2VAG

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง