STMicroelectronics SCTW70N Type N-Channel MOSFET, 91 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- RS Stock No.:
- 233-3023
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTW70N120G2V
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB74,056.11
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB79,240.05
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB2,468.537 | THB74,056.11 |
| 60 - 60 | THB2,419.166 | THB72,574.98 |
| 90 + | THB2,370.782 | THB71,123.46 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 233-3023
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTW70N120G2V
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 91A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | SCTW70N | |
| Package Type | Hip-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 21mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 2.7V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 547W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.75mm | |
| Width | 5.15 mm | |
| Height | 20.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 91A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series SCTW70N | ||
Package Type Hip-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 21mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 2.7V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 547W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.75mm | ||
Width 5.15 mm | ||
Height 20.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the Sic material allow designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitances
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCTW70N Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW70N120G2V
- STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA70N120G2V-4
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTW40N Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247