STMicroelectronics SCTW70N N-Channel MOSFET, 91 A, 1.2 kV Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW70N120G2V

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
233-3023
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCTW70N120G2V
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

91A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Series

SCTW70N

Package Type

Hip-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

21mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

2.7V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Maximum Power Dissipation Pd

547W

Maximum Operating Temperature

200°C

Width

5.15mm

Standards/Approvals

No

Length

15.75mm

Height

20.15mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the Sic material allow designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitances

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง