STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 45 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT30N120
- RS Stock No.:
- 907-4741
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT30N120
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB841.69
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB900.61
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 10 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- 316 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 02 มกราคม 2569
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 7 | THB841.69 |
| 8 - 14 | THB820.66 |
| 15 + | THB808.06 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 907-4741
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT30N120
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 45A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | Hip-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 100mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 270W | |
| Forward Voltage Vf | 3.5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 105nC | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Length | 15.75mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 20.15mm | |
| Width | 5.15 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 45A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type Hip-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 270W | ||
Forward Voltage Vf 3.5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 105nC | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Length 15.75mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 20.15mm | ||
Width 5.15 mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET, STMicroelectronics
Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and Compact systems.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET 1200 V, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET 1200 V, 3-Pin Hip-247 SCTWA40N120G2V-4
- STMicroelectronics SCTW35 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTW35 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW35N65G2V
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 3-Pin Hip-247 SCTW35N65G2VAG
- STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247