STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD12N60DM6

RS Stock No.:: 210-8740
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STD12N60DM6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD12N60DM6

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB344.66

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB368.785

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 620	THB68.932	THB344.66
625 - 1245	THB67.208	THB336.04
1250 +	THB66.172	THB330.86

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 210-8740
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STD12N60DM6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	390mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Maximum Power Dissipation Pd	90W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	17nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.6mm
	Height	2.4mm
	Width	6.2 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 390mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Maximum Power Dissipation Pd 90W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.6mm
	Height 2.4mm
	Width 6.2 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - STD12N60DM6

The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD12N60DM6

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง