STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD13N60DM2
- RS Stock No.:
- 188-8407
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD13N60DM2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB344.28
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB368.38
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,480 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | THB68.856 | THB344.28 |
| 625 - 1245 | THB67.134 | THB335.67 |
| 1250 + | THB66.104 | THB330.52 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-8407
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD13N60DM2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 360mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.6mm | |
| Height | 2.17mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.2 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 360mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.6mm | ||
Height 2.17mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.2 mm | ||
Automotive Standard No | ||
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Low on-resistance
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
Applications
Switching applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD13NM60ND
- STMicroelectronics MDmesh II Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD13NM60N
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP13NM60N
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STF13NM60N
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252