STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252

RS Stock No.:: 188-8285
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STD11N60DM2
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB94,307.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB100,910.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB37.723	THB94,307.50
5000 - 7500	THB36.903	THB92,257.50
10000 +	THB36.083	THB90,207.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-8285
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STD11N60DM2
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	420mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	16.5nC
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	6.2 mm
	Length	6.6mm
	Height	2.17mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 420mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.5nC
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 6.2 mm
	Length 6.6mm
	Height 2.17mm
	Automotive Standard No

Datasheet STD11N60DM2

This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Low on-resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Applications

Switching applications

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง