STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD11N60DM2
- RS Stock No.:
- 188-8550
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD11N60DM2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (5 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 5)*
THB396.19
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB423.92
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,105 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | THB79.238 | THB396.19 |
| 625 - 1245 | THB77.256 | THB386.28 |
| 1250 + | THB76.068 | THB380.34 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-8550
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD11N60DM2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 420mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.17mm | |
| Length | 6.6mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 420mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.17mm | ||
Length 6.6mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Low on-resistance
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
Applications
Switching applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD13N65M2
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA65R125C7XKSA1
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD11N65M2
- onsemi FCMT N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN FCMT360N65S3
