STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD11N60DM2
- RS Stock No.:
- 188-8550
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:
- STD11N60DM2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB396.19
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB423.925
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,175 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | THB79.238 | THB396.19 |
| 625 - 1245 | THB77.256 | THB386.28 |
| 1250 + | THB76.068 | THB380.34 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 188-8550
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:
- STD11N60DM2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
ข้อมูลทางเทคนิค
Technical data sheets
Legislation and Compliance
Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 420mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.17mm | |
| Width | 6.2 mm | |
| Length | 6.6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 420mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.17mm | ||
Width 6.2 mm | ||
Length 6.6mm | ||
Automotive Standard No | ||
This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Low on-resistance
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
Applications
Switching applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD13N65M2
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA65R125C7XKSA1
- Infineon CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD11N65M2
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263