Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 30 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ912DEP-T1_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ขาดตลาด
เนื่องจากการขาดแคลนสินค้าทั่วโลก เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
210-5049
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQJ912DEP-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

27W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.79V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

4.9mm

Height

1.07mm

Width

4.37 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET has PowerPAK SO-8L package type.

TrenchFET® power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง