Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 30 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ912DEP-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 210-5049
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ912DEP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB287.26
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB307.37
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ขาดตลาด
- เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 13 เมษายน 2569
สต็อกปัจจุบันของเรามีจำนวนจำกัด และซัพพลายเออร์ของเราคาดว่าสินค้าจะขาดแคลน
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | THB28.726 | THB287.26 |
| 750 - 1490 | THB28.008 | THB280.08 |
| 1500 + | THB27.577 | THB275.77 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 210-5049
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ912DEP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 27W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.79V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Length | 4.9mm | |
| Height | 1.07mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 27W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.79V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Length 4.9mm | ||
Height 1.07mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET has PowerPAK SO-8L package type.
TrenchFET® power MOSFET
AEC-Q101 qualified
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQ4946CEY-T1_GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ208EP-T1_GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SQ1922AEEH-T1_GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F