Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 30 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ912DEP-T1_GE3

RS Stock No.:: 210-5049
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJ912DEP-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 30 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ912DEP-T1_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB287.26

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB307.37

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ขาดตลาด

เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569

สต็อกปัจจุบันของเรามีจำนวนจำกัด และซัพพลายเออร์ของเราคาดว่าสินค้าจะขาดแคลน

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 740	THB28.726	THB287.26
750 - 1490	THB28.008	THB280.08
1500 +	THB27.577	THB275.77

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 210-5049
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJ912DEP-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	SO-8
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	27W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	0.79V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	24nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Transistor Configuration	Dual
	Height	1.07mm
	Length	4.9mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.37 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type SO-8
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 27W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 0.79V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Transistor Configuration Dual
	Height 1.07mm
	Length 4.9mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.37 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SQJ912DEP-T1_GE3

The Vishay Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET has PowerPAK SO-8L package type.

TrenchFET® power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 30 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ912DEP-T1_GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง