Dual N-Channel MOSFET, 850 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SQ1922AEEH-T1_GE3

RS Stock No.:: 188-5029
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ1922AEEH-T1_GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Dual N-Channel MOSFET, 850 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SQ1922AEEH-T1_GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 25)**

THB12.906

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB13.809

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 11/05/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
25 - 725	THB12.906	THB322.65
750 - 1475	THB12.583	THB314.575
1500 +	THB12.39	THB309.75

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-5029
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ1922AEEH-T1_GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Datasheet SQ1922AEEH-T1_GE3

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	850 mA
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Package Type	SOT-363
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	6
Maximum Drain Source Resistance	530 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	1.5V
Maximum Power Dissipation	1.5 W
Maximum Gate Source Voltage	±12 V
Length	2.2mm
Width	1.35mm
Number of Elements per Chip	2
Typical Gate Charge @ Vgs	0.9 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Automotive Standard	AEC-Q101
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Forward Diode Voltage	1.2V
Height	1mm

Dual N-Channel MOSFET, 850 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SQ1922AEEH-T1_GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง