Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 7 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQ4946CEY-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 228-2946
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ4946CEY-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB216.67
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB231.84
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 90 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB21.667 | THB216.67 |
| 50 - 90 | THB21.125 | THB211.25 |
| 100 - 240 | THB20.596 | THB205.96 |
| 250 - 990 | THB20.081 | THB200.81 |
| 1000 + | THB19.58 | THB195.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-2946
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ4946CEY-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 4W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 4W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11.7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay TrenchFET automotive dual N-channel is power MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ208EP-T1_GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type P 5.3 A 8-Pin SO-8
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4946BEY-T1-E3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type P 5.3 A 8-Pin SO-8 SI4559ADY-T1-E3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8
