Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 850 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- RS Stock No.:
- 188-4911
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB15,291.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB16,362.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB5.097 | THB15,291.00 |
| 6000 - 9000 | THB4.944 | THB14,832.00 |
| 12000 + | THB4.795 | THB14,385.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-4911
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 850mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 530mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.5W | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Length | 2.2mm | |
| Height | 1mm | |
| Width | 1.35 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 850mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SOT-363 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 530mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.5W | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Length 2.2mm | ||
Height 1mm | ||
Width 1.35 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SQ1922AEEH-T1_GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ208EP-T1_GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ912DEP-T1_GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQ4946CEY-T1_GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-89