Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

RS Stock No.:: 188-4915
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJ208EP-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB125,346.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB134,121.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB41.782	THB125,346.00
6000 - 9000	THB40.528	THB121,584.00
12000 +	THB39.312	THB117,936.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-4915
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJ208EP-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	SO-8
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	16mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	48W
	Forward Voltage Vf	0.77V
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	4.47 mm
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.01mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type SO-8
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 16mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 48W
	Forward Voltage Vf 0.77V
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 4.47 mm
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.01mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet SQJ208EP-T1_GE3

Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFETs.

TrenchFET® power MOSFET

Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง