Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 A, 40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual Vishay SQJ208EP-T1_GE3

RS Stock No.:: 188-4915
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJ208EP-T1_GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 A, 40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual Vishay SQJ208EP-T1_GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Reel of 3000)

THB41.782

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB44.707

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 12/08/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

Units	ต่อหน่วย	ต่อม้วน**
3000 - 3000	THB41.782	THB125,346.00
6000 - 9000	THB40.528	THB121,584.00
12000 +	THB39.312	THB117,936.00

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-4915
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJ208EP-T1_GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Datasheet SQJ208EP-T1_GE3

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	20 A, 60 A
Maximum Drain Source Voltage	40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V
Package Type	PowerPAK SO-8L Dual
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	6
Maximum Drain Source Resistance	0.0067 (Channel 2) Ω, 0.016 (Channel 1) Ω
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2.3 (Channel 1) V, 2.4 (Channel 2) V
Minimum Gate Threshold Voltage	1.3 (Channel 1) V, 1.4 (Channel 2) V
Maximum Power Dissipation	27 W, 48 W
Transistor Configuration	Dual
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs	22 nC @ 10 V (Channel 1), 48.2 nC @ 10 V (Channel 2)
Length	5mm
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Number of Elements per Chip	2
Width	4.47mm
Height	1.01mm
Automotive Standard	AEC-Q101
Minimum Operating Temperature	-55 °C

Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 A, 40 (Channel 1) V, 40 (Channel 2) V, 6-Pin PowerPAK SO-8L Dual Vishay SQJ208EP-T1_GE3

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง