Vishay SiR882BDP Type N-Channel MOSFET, 67.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- RS Stock No.:
- 210-5006
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiR882BDP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB126,360.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB135,210.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB42.12 | THB126,360.00 |
| 6000 - 9000 | THB40.856 | THB122,568.00 |
| 12000 + | THB39.63 | THB118,890.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 210-5006
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiR882BDP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 67.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | SiR882BDP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83.3W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5.26 mm | |
| Length | 6.25mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.12mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 67.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series SiR882BDP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83.3W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5.26 mm | ||
Length 6.25mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.12mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiR882BDP Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR882BDP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
- Vishay SiR180ADP Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SiR680LDP Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SiR104LDP Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SiDR626LDP Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SiDR104ADP Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8