Vishay SiR104LDP Type N-Channel MOSFET, 81 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- RS Stock No.:
- 204-7221
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiR104LDP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB89,559.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB95,829.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB29.853 | THB89,559.00 |
| 6000 - 9000 | THB28.957 | THB86,871.00 |
| 12000 + | THB28.089 | THB84,267.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 204-7221
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiR104LDP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 81A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | SiR104LDP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 110nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 6.25mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5.26mm | |
| Width | 1.12 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 81A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series SiR104LDP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 6.25mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5.26mm | ||
Width 1.12 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET has a very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM). It is tuned for the lowest RDS x Qoss FOM.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiR104LDP Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR104LDP-T1-RE3
- Vishay SiDR104ADP Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SiR870BDP Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SiDR104ADP Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiDR104ADP-T1-RE3
- Vishay SiR870BDP Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR870BDP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR104ADP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8