Vishay E Type N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP17N80AE-GE3
- RS Stock No.:
- 210-4994
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHP17N80AE-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB305.07
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB326.425
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 655 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | THB61.014 | THB305.07 |
| 15 - 20 | THB59.488 | THB297.44 |
| 25 + | THB58.572 | THB292.86 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 210-4994
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHP17N80AE-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | E | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 250mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 14.69mm | |
| Height | 4.24mm | |
| Width | 9.96 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series E | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 250mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 14.69mm | ||
Height 4.24mm | ||
Width 9.96 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay E Series Power MOSFET has TO-220AB package type with 15 A drain current.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB17N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG17N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220