Vishay SiSHA10DN N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISHA10DN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
188-4897
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISHA10DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiSHA10DN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-16V, +20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.3mm

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Height

930μm

Automotive Standard

No

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง