Vishay SiSS30LDN N-Channel MOSFET, 55.5 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS30LDN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
188-4902
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISS30LDN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

55.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SiSS30LDN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

12mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.3mm

Height

780μm

Length

3.3mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง