Infineon IPB60R Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R090CFD7ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB285.29

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB305.26

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 744 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB142.645THB285.29
10 - 98THB139.08THB278.16
100 - 248THB135.605THB271.21
250 - 498THB132.22THB264.44
500 +THB128.915THB257.83

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
222-4891
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPB60R090CFD7ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

IPB60R

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction MOSFET IPB60R090CFD7 in D2PAK package is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS, such as server, telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements. As successor to the CFD2 SJ MOSFET family it comes with reduced gate charge, improved turn-off behaviour and up to 69% reduced reverse recovery charge compared to competitors.

Ultra-fast body diode

Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)

Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness

Lowest FOM RDS(on) x Qg and EOSS

Best-in-class RDS(on)/package combinations

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง