Vishay SiJ128LDP Type N-Channel MOSFET, 25.5 A, 80 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJ128LDP-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB661.72

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB708.04

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 07 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 740THB33.086THB661.72
760 - 1480THB32.259THB645.18
1500 +THB31.763THB635.26

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
204-7217
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiJ128LDP-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

25.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SiJ128LDP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

15.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

22.3W

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

6.25mm

Standards/Approvals

No

Length

5.25mm

Width

1.14 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has a very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency. It has a very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง