N-Channel MOSFET, 33.7 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SiS128LDN-T1-GE3

RS Stock No.:: 188-4888
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiS128LDN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 33.7 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SiS128LDN-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Reel of 3000)

THB15.314

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB16.386

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 29/12/2024, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

Units	ต่อหน่วย	ต่อม้วน**
3000 - 3000	THB15.314	THB45,942.00
6000 - 9000	THB14.855	THB44,565.00
12000 +	THB14.409	THB43,227.00

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-4888
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiS128LDN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Datasheet SiS128LDN-T1-GE3

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	33.7 A
Maximum Drain Source Voltage	80 V
Package Type	PowerPAK 1212-8
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	20.3 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	39 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Number of Elements per Chip	1
Width	3.15mm
Length	3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs	20 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.07mm
Forward Diode Voltage	1.1V

N-Channel MOSFET, 33.7 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SiS128LDN-T1-GE3

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง