Vishay SiS128LDN Type N-Channel MOSFET, 33.7 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Stock No.:
- 188-4888
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiS128LDN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB43,983.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB47,061.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB14.661 | THB43,983.00 |
| 6000 - 9000 | THB14.222 | THB42,666.00 |
| 12000 + | THB13.795 | THB41,385.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-4888
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiS128LDN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 33.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Series | SiS128LDN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 20.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 39W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.15mm | |
| Height | 1.07mm | |
| Width | 3.15 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 33.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Series SiS128LDN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 20.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 39W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.15mm | ||
Height 1.07mm | ||
Width 3.15 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiS128LDN Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS128LDN-T1-GE3
- Vishay SiSS76LDN Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSHA10DN Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay ThunderFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS60DN Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiS126DN Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212