Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET, 265 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS5800DP-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 279-9973
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIRS5800DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB261.83
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB280.158
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | THB130.915 | THB261.83 |
| 50 - 98 | THB98.285 | THB196.57 |
| 100 - 248 | THB87.54 | THB175.08 |
| 250 - 998 | THB85.945 | THB171.89 |
| 1000 + | THB84.36 | THB168.72 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 279-9973
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIRS5800DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 265A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | SIRS | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0018Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 122nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 240W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 265A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series SIRS | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0018Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 122nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 240W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.
TrenchFET power MOSFET
Fully lead (Pb)-free device
Very low RDS x Qg figure of merit
100 percent Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS5800DP-T1-GE3
- Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS5100DP-T1-GE3
- Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4302DP-T1-GE3
- Vishay SIRS Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4301DP-T1-GE3
- Vishay SIRS Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4401DP-T1-GE3
- Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4600DP-T1-RE3
- Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4400DP-T1-RE3
- Vishay SiR462DP Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR462DP-T1-GE3