N-Channel MOSFET, 55.5 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SISS30LDN-T1-GE3

RS Stock No.:: 188-5051
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SISS30LDN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 55.5 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SISS30LDN-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 10)**

THB35.823

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB38.331

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 18/05/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
10 - 740	THB35.823	THB358.23
750 - 1490	THB34.927	THB349.27
1500 +	THB34.389	THB343.89

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-5051
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SISS30LDN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Datasheet SISS30LDN-T1-GE3

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	55.5 A
Maximum Drain Source Voltage	80 V
Package Type	PowerPAK 1212-8S
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	12 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	57 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Width	3.3mm
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	3.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs	32.5 nC @ 10 V
Forward Diode Voltage	1.1V
Height	0.78mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 55.5 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SISS30LDN-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง