Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET, 510 A, 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH61N06NM5ATMA1
- RS Stock No.:
- 762-983
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IQFH61N06NM5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB221.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB236.95
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 08 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB221.45 |
| 10 - 49 | THB179.16 |
| 50 - 99 | THB137.34 |
| 100 + | THB109.78 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 762-983
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IQFH61N06NM5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 510A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PG-TSON-12 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 12 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.61mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 190nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 8mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 510A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PG-TSON-12 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 12 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.61mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 190nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 8mm | ||
Height 1.1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
The Infineon OptiMOS 5Power-Transistor,60V optimized for low voltage drives, battery powered and synchronous rectification application. Fully qualified according to JEDEC for industrial applications.
100% avalanche tested
Superior thermal resistance
N-channel
Pb-free lead plating, RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH68N06NM5ATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH86N06NM5ATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH99N06NM5ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH36N04NM6ATMA1
- Infineon IQF Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH55N04NM6ATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQE031N08LM6CGATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQE031N08LM6CGSCATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8-1 IAUTN06S5N008ATMA1