Infineon OptiMOS N-Channel Power MOSFET, 510 A, 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH61N06NM5ATMA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
762-983
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IQFH61N06NM5ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

510A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PG-TSON-12

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

12

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.61mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

190nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6mm

Length

8mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon OptiMOS 5Power-Transistor,60V optimized for low voltage drives, battery powered and synchronous rectification application. Fully qualified according to JEDEC for industrial applications.

100% avalanche tested

Superior thermal resistance

N-channel

Pb-free lead plating, RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง