STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Depletion, 3-Pin Hip-247 SCTW35N65G2VAG

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
202-5488
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCTW35N65G2VAG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

Hip-247

Series

SCT

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.055Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Forward Voltage Vf

3.3V

Maximum Operating Temperature

200°C

Width

5.15mm

Length

15.75mm

Standards/Approvals

No

Height

34.95mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง