SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 650 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG

RS Stock No.:: 202-5488
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCTW35N65G2VAG
ผู้ผลิต / Manufacturer:: STMicroelectronics

SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 650 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each**

THB716.48

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB766.63

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 03/11/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย
1 - 7	THB716.48
8 - 14	THB698.59
15 +	THB687.83

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 202-5488
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCTW35N65G2VAG
ผู้ผลิต / Manufacturer:: STMicroelectronics

Datasheet - SCTW35N65G2VAG

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	45 A
Maximum Drain Source Voltage	650 V
Package Type	HiP247
Series	SCT
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	0.055 Ω
Channel Mode	Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Transistor Material	SiC
Number of Elements per Chip	1

SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 650 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง