STMicroelectronics SCT Type N-Channel SiC Power Module, 12 A, 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247 SCT10N120AG
- RS Stock No.:
- 202-4803
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT10N120AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB346.02
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB370.24
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 582 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 7 | THB346.02 |
| 8 - 14 | THB337.36 |
| 15 + | THB332.17 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-4803
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT10N120AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | SiC Power Module | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | Hip-247 | |
| Series | SCT | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.52Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Forward Voltage Vf | 4.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Width | 5.15 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.75mm | |
| Height | 34.95mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type SiC Power Module | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type Hip-247 | ||
Series SCT | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.52Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Forward Voltage Vf 4.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Width 5.15 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.75mm | ||
Height 34.95mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET has very tight variation of on-resistance vs. temperature. It has very high operating temperature capability.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel SiC Power Module 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel SiC Power Module 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel SiC Power Module 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247 SCT20N120AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247 SCT10N120
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247