STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 65 A, 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247 SCT50N120

RS Stock No.:: 202-5479
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCT50N120
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 65 A, 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247 SCT50N120

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,376.26

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,472.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 7	THB1,376.26
8 - 14	THB1,341.85
15 +	THB1,321.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 202-5479
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCT50N120
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	65A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Series	SCT
	Package Type	Hip-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.59Ω
	Channel Mode	Depletion
	Maximum Power Dissipation Pd	318W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	122nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	3.5V
	Maximum Operating Temperature	200°C
	Length	15.75mm
	Width	5.15 mm
	Height	34.95mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 65A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Series SCT
	Package Type Hip-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.59Ω
	Channel Mode Depletion
	Maximum Power Dissipation Pd 318W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 122nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 3.5V
	Maximum Operating Temperature 200°C
	Length 15.75mm
	Width 5.15 mm
	Height 34.95mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SCT50N120

The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 65 A, 1200 V Depletion, 3-Pin Hip-247 SCT50N120

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง