STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK SCTW100N65G2AG

RS Stock No.:: 202-5486
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCTW100N65G2AG
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK SCTW100N65G2AG

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,504.23

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,609.53

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 7	THB1,504.23
8 - 14	THB1,466.63
15 +	THB1,444.06

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 202-5486
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SCTW100N65G2AG
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Series	SCT
	Package Type	H2PAK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.105Ω
	Channel Mode	Depletion
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	162nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22 V
	Maximum Power Dissipation Pd	420W
	Forward Voltage Vf	2.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	200°C
	Width	5.15 mm
	Height	34.95mm
	Standards/Approvals	No
	Length	15.75mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Series SCT
	Package Type H2PAK
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.105Ω
	Channel Mode Depletion
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 162nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V
	Maximum Power Dissipation Pd 420W
	Forward Voltage Vf 2.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 200°C
	Width 5.15 mm
	Height 34.95mm
	Standards/Approvals No
	Length 15.75mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SCTW100N65G2AG

The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK SCTW100N65G2AG

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง