STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 95 A, 650 V Depletion, 7-Pin H2PAK SCTH100N65G2-7AG
- RS Stock No.:
- 202-5481
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTH100N65G2-7AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,179.16
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,261.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 249 | THB1,179.16 |
| 250 - 499 | THB1,149.68 |
| 500 + | THB1,131.99 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5481
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTH100N65G2-7AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 95A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | SCT | |
| Package Type | H2PAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.02Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 162nC | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Forward Voltage Vf | 2.8V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 360W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.8 mm | |
| Height | 15.25mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 95A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series SCT | ||
Package Type H2PAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.02Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 162nC | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Forward Voltage Vf 2.8V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 360W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.8 mm | ||
Height 15.25mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 7-Pin H2PAK
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK SCTW100N65G2AG
- STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET Module 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK-7 SCTH40N120G2V7AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT027H65G3AG