STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK SCTW100N65G2AG

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
202-5485
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCTW100N65G2AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

SCT

Package Type

H2PAK

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.105Ω

Channel Mode

Depletion

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

162nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

420W

Forward Voltage Vf

2.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Maximum Operating Temperature

200°C

Standards/Approvals

No

Length

15.75mm

Width

5.15mm

Height

34.95mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง