STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET Modules, 33 A, 1.2 kV Depletion, 7-Pin H2PAK-7 SCTH40N120G2V7AG
- RS Stock No.:
- 202-5482
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTH40N120G2V7AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB625,262.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB669,030.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB625.262 | THB625,262.00 |
| 2000 - 3000 | THB611.669 | THB611,669.00 |
| 4000 + | THB598.076 | THB598,076.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5482
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTH40N120G2V7AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET Modules | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 33A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Package Type | H2PAK-7 | |
| Series | SCT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.105Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET Modules | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 33A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Package Type H2PAK-7 | ||
Series SCT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.105Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using STs Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET Modules 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK-7 SCTH40N120G2V7AG
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK SCTW100N65G2AG
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 7-Pin H2PAK SCTH100N65G2-7AG
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3-7
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3AG
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT040H120G3AG
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3AG
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 900 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT012H90G3AG
