STMicroelectronics STD Type N-Channel MOSFET, 10 A, 480 V Depletion, 3-Pin TO-252 STD13N60M6
- RS Stock No.:
- 202-4809
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD13N60M6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB236.04
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB252.565
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,950 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | THB47.208 | THB236.04 |
| 625 - 1245 | THB46.03 | THB230.15 |
| 1250 + | THB45.322 | THB226.61 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-4809
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD13N60M6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 480V | |
| Series | STD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 380mΩ | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 92W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.6mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 10.1mm | |
| Width | 2.4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 480V | ||
Series STD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 380mΩ | ||
Channel Mode Depletion | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 92W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.6mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 10.1mm | ||
Width 2.4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics N-channel MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package has reduced switching losses. It also has lower RDS(on) per area vs previous generation.
100% avalanche tested
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STD Type N-Channel MOSFET 480 V Depletion, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STD Type N-Channel MOSFET 35 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STD Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STD Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD86N3LH5
- STMicroelectronics STD Type N-Channel MOSFET 35 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD80N240K6
- Microchip DN2625 Type N-Channel MOSFET 3-Pin TO-252 DN2625K4-G
- Microchip DN2470 Type N-Channel RF MOSFET 700 V Depletion, 3-Pin TO-252 DN2470K4-G
- ROHM RD3G08CBLHRB Type N-Channel MOSFET 40 V Depletion, 3-Pin TO-252 RD3G08CBLHRBTL