Microchip DN2470 Type N-Channel RF MOSFET, 170 mA, 700 V Depletion, 3-Pin TO-252 DN2470K4-G

N

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB73,024.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB78,136.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2000 +THB36.512THB73,024.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
598-941
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DN2470K4-G
ผู้ผลิต:
Microchip
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Microchip

Channel Type

Type N

Product Type

RF MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

170mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Series

DN2470

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Channel Mode

Depletion

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS-compliant

Width

0.265 in

Length

0.245in

Height

0.94in

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Microchip Low threshold depletion-mode transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FET is ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low on resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง