Microchip DN2625 Type N-Channel MOSFET, 250 V Depletion, 3-Pin TO-252 DN2625K4-G
- RS Stock No.:
- 598-727
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DN2625K4-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
N
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB112,054.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB119,898.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 + | THB56.027 | THB112,054.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 598-727
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DN2625K4-G
- ผู้ผลิต:
- Microchip
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | DN2625 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series DN2625 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Channel Mode Depletion | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Microchip Low threshold depletion-mode transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Very low gate threshold voltage
Designed to be source driven
Low switching losses
Low effective output capacitance
Designed for inductive loads
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSS139I Type N-Channel MOSFET 250 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS139IXTSA1
- Infineon BSS Type N-Channel MOSFET 250 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS139H6327XTSA1
- Infineon BSS139I Type N-Channel MOSFET 250 V Depletion, 3-Pin SOT-23
- Infineon BSS Type N-Channel MOSFET 250 V Depletion, 3-Pin SOT-23
- Microchip DN3525 Type N-Channel Single MOSFETs 250 V Depletion, 3-Pin SOT-89 DN3525N8-G
- Microchip DN2470 Type N-Channel RF MOSFET 700 V Depletion, 3-Pin TO-252 DN2470K4-G
- STMicroelectronics STD Type N-Channel MOSFET 480 V Depletion, 3-Pin TO-252 STD13N60M6
- ROHM RD3G08CBLHRB Type N-Channel MOSFET 40 V Depletion, 3-Pin TO-252 RD3G08CBLHRBTL
