ROHM RD3G08CBLHRB Type N-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Depletion, 3-Pin TO-252 RD3G08CBLHRBTL
- RS Stock No.:
- 264-956
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3G08CBLHRBTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 5 ชิ้น)*
THB233.55
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB249.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,485 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB46.71 | THB233.55 |
| 50 - 95 | THB44.334 | THB221.67 |
| 100 - 495 | THB41.07 | THB205.35 |
| 500 - 995 | THB37.804 | THB189.02 |
| 1000 + | THB36.418 | THB182.09 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-956
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3G08CBLHRBTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | RD3G08CBLHRB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.2mΩ | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 96W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, AEC-Q101 | |
| Length | 10mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series RD3G08CBLHRB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.2mΩ | ||
Channel Mode Depletion | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 96W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, AEC-Q101 | ||
Length 10mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM MOSFET that stands out for its impressive performance across various applications. Designed for high efficiency, this component excels in handling significant power levels with minimum heat generation, making it ideal for demanding automotive and industrial environments. Its compact DPAK package ensures easy integration into space-constrained layouts, while the RoHS-compliant, lead-free construction guarantees compliance with modern environmental standards.
Conforms to RoHS standards ensuring environmental safety
Compact DPAK package facilitates space efficient designs
Tested under rigorous conditions for guaranteed reliability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Microchip DN2625 Type N-Channel MOSFET 3-Pin TO-252 DN2625K4-G
- Microchip DN2470 Type N-Channel RF MOSFET 700 V Depletion, 3-Pin TO-252 DN2470K4-G
- STMicroelectronics STD Type N-Channel MOSFET 480 V Depletion, 3-Pin TO-252 STD13N60M6
- STMicroelectronics STD Type N-Channel MOSFET 480 V Depletion, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RD3G08CBKHRBTL
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 3-Pin TO-247 SIHG026N60EF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics ST Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 3-Pin TO-247 STW70N65DM6