Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET, 18.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- RS Stock No.:
- 200-6797
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- Si4425FDY-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*
THB963.85
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,031.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 6,650 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 50 - 700 | THB19.277 | THB963.85 |
| 750 - 1450 | THB18.795 | THB939.75 |
| 1500 + | THB18.506 | THB925.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 200-6797
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- Si4425FDY-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | TrenchFET Gen IV | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 16mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 4.8W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series TrenchFET Gen IV | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 16mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 4.8W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Si4425FDY-T1-GE3 is a P-channel 30V (D-S) MOSFET.
TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET
100% Rg tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si4425FDY-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 45 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ130EL-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS22LDN-T1-GE3
