Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET, 18.3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB963.85

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,031.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 6,650 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
50 - 700THB19.277THB963.85
750 - 1450THB18.795THB939.75
1500 +THB18.506THB925.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
200-6797
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
Si4425FDY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

18.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET Gen IV

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

16mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

4.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay Si4425FDY-T1-GE3 is a P-channel 30V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET

100% Rg tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง