Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 92.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS22LDN-T1-GE3

RS Stock No.:: 200-6854
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiSS22LDN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 92.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS22LDN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB64,260.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB68,760.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB21.42	THB64,260.00
6000 - 9000	THB20.778	THB62,334.00
12000 +	THB20.154	THB60,462.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 200-6854
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiSS22LDN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	92.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	TrenchFET Gen IV
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	65.7W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	56nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.3mm
	Width	3.3 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	3.3mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 92.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series TrenchFET Gen IV
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 65.7W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.3mm
	Width 3.3 mm
	Standards/Approvals No
	Height 3.3mm
	Automotive Standard No

Document- SiSS22LDN-T1-GE3

The Vishay SiSS22LDN-T1-GE3 is a N-channel 60V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 92.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS22LDN-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง