Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 6.4 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP690N60E-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB1,434.05

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,534.425

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 25 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 +THB57.362THB1,434.05

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
200-6821
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHP690N60E-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-220AB

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

700mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Vishay Series E Power MOSFET, 650V Maximum Drain Source Voltage, 6.4A Maximum Continuous Drain Current - SIHP690N60E-GE3


This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for switching and power conversion tasks in industrial electronic systems. It operates across a wide temperature span and is supplied in a through-hole TO-220AB package suitable for conventional heatsinking and manual assembly contexts.

Features and Benefits:


• 650V drain-source rating enables high-voltage switching capability
• 6.4A continuous drain current supports moderate load currents
• 700mΩ Rds(on) minimises conduction losses under load
• 62.5W power dissipation allows substantial thermal handling
• 12nC gate charge reduces driving energy for faster switching
• 30V gate-source tolerance permits flexible gate drive levels

Applications


• Suitable for offline power supplies and high-voltage converters
• Ideal for motor-drive gate stage and inverter switching
• Used with discrete switch-mode power supplies in industrial equipment
• Can be used for lab prototypes requiring through-hole mounting
• Appropriate for driver stages in high-voltage lighting control

What temperature range can it tolerate in demanding installations?


It is specified to operate from -55°C up to 150°C, accommodating harsh industrial environments.

What mounting and cooling options are compatible with it?


The TO-220AB through-hole format permits direct PCB mounting and attachment to conventional heatsinks for enhanced thermal management.

How does its gate charge affect driver selection?


With a typical gate charge of 12nC, it requires moderate gate-drive capability, enabling use with compact drivers while maintaining reasonable switching speeds.

Is it suitable for automotive-grade applications?


It is not specified to meet automotive standards, so it is more appropriate for general industrial and commercial electronic designs.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง