Vishay SiSHA04DN Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SISHA04DN-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 188-5123
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISHA04DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB233.61
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB249.96
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,990 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | THB23.361 | THB233.61 |
| 750 - 1490 | THB22.777 | THB227.77 |
| 1500 + | THB22.427 | THB224.27 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-5123
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISHA04DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | SiSHA04DN | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8SH | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00215Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 52W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.93mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series SiSHA04DN | ||
Package Type PowerPAK 1212-8SH | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00215Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 52W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.93mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET ® Gen IV power MOSFET
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiSHA04DN Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SISH521EDN-T1-GE3
- Vishay ThunderFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS76LDN Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSHA10DN Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212