Vishay SiSS61DN Type P-Channel MOSFET, 111.9 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS61DN-T1-GE3

RS Stock No.:: 188-5117
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiSS61DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SiSS61DN Type P-Channel MOSFET, 111.9 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS61DN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB283.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB303.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 740	THB28.32	THB283.20
750 - 1490	THB27.613	THB276.13
1500 +	THB27.187	THB271.87

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-5117
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiSS61DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	111.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	SiSS61DN
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	154nC
	Maximum Power Dissipation Pd	65.8W
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.3mm
	Standards/Approvals	No
	Width	3.3 mm
	Height	0.78mm
	Distrelec Product Id	304-32-537
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 111.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series SiSS61DN
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 154nC
	Maximum Power Dissipation Pd 65.8W
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.3mm
	Standards/Approvals No
	Width 3.3 mm
	Height 0.78mm
	Distrelec Product Id 304-32-537
	Automotive Standard No

Datasheet SiSS61DN-T1-GE3

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET

Leadership RDS(on) in compact and thermally enhanced package

Vishay SiSS61DN Type P-Channel MOSFET, 111.9 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS61DN-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง