Vishay SiSS05DN Type P-Channel MOSFET, 108 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS05DN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
188-4900
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiSS05DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

108A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSS05DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

76nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Forward Voltage Vf

-1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +16V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.3mm

Standards/Approvals

No

Length

3.3mm

Height

780μm

Automotive Standard

No

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV p-channel power MOSFET

Provides exceptionally low RDS(on) in a compact package that is thermally enhanced

Enables higher power density

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง