Vishay SiSS05DN Type P-Channel MOSFET, 108 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Stock No.:
- 188-4900
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiSS05DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB66,075.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB70,701.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB22.025 | THB66,075.00 |
| 6000 - 9000 | THB21.364 | THB64,092.00 |
| 12000 + | THB20.723 | THB62,169.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-4900
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiSS05DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 108A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | SiSS05DN | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65.7W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.3mm | |
| Height | 0.78mm | |
| Width | 3.3 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 108A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series SiSS05DN | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65.7W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.3mm | ||
Height 0.78mm | ||
Width 3.3 mm | ||
Automotive Standard No | ||
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV p-channel power MOSFET
Provides exceptionally low RDS(on) in a compact package that is thermally enhanced
Enables higher power density
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiSS05DN Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS05DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 45 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSH101DN Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS73DN Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Si7121DN Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212