P-Channel MOSFET, 111.9 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SiSS61DN-T1-GE3

RS Stock No.:: 188-4905
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiSS61DN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

P-Channel MOSFET, 111.9 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SiSS61DN-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Reel of 3000)**

THB15.519

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB16.605

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 18/05/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อม้วน**
3000 - 3000	THB15.519	THB46,557.00
6000 - 9000	THB15.053	THB45,159.00
12000 +	THB14.601	THB43,803.00

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-4905
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiSS61DN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Datasheet SiSS61DN-T1-GE3

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	111.9 A
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Package Type	PowerPAK 1212-8S
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	9.8 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage	0.4V
Maximum Power Dissipation	65.8 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	±8 V
Width	3.3mm
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	3.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs	154 nC @ 10 V
Forward Diode Voltage	1.2V
Height	0.78mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

P-Channel MOSFET, 111.9 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SiSS61DN-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง