Vishay SiSS73DN Type P-Channel MOSFET, 16.2 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Stock No.:
- 188-4907
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS73DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB74,175.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB79,368.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 9,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB24.725 | THB74,175.00 |
| 6000 - 9000 | THB23.984 | THB71,952.00 |
| 12000 + | THB23.264 | THB69,792.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-4907
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS73DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Series | SiSS73DN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 125mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65.8W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14.6nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Height | 0.78mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3.3 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Series SiSS73DN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65.8W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.6nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.3mm | ||
Height 0.78mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3.3 mm | ||
Automotive Standard No | ||
P-Channel 150 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® with ThunderFET technology
Very low RDS(on) minimizes power loss from conduction
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiSS73DN Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS73DN-T1-GE3
- Vishay Si7121DN Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS05DN Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSH101DN Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS61DN Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212