Vishay Si7121DN Type P-Channel MOSFET, 9.6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Stock No.:
- 170-8393
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI7121DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB61,698.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB66,018.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 3,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB20.566 | THB61,698.00 |
| 6000 - 9000 | THB19.949 | THB59,847.00 |
| 12000 + | THB19.351 | THB58,053.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 170-8393
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI7121DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Series | Si7121DN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 26mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -50°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 27.8W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.15 mm | |
| Length | 3.15mm | |
| Height | 1.07mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Series Si7121DN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 26mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -50°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 27.8W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.15 mm | ||
Length 3.15mm | ||
Height 1.07mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Si7121DN Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SI7121DN-T1-GE3
- Vishay SiSS73DN Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS05DN Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSH101DN Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS61DN Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212