Vishay SiSH101DN Type P-Channel MOSFET, 35 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSH101DN-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 188-5039
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiSH101DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB475.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB508.475
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | THB19.008 | THB475.20 |
| 750 - 1475 | THB18.533 | THB463.33 |
| 1500 + | THB18.248 | THB456.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-5039
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiSH101DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 35A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | SiSH101DN | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 52W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 68nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Height | 0.93mm | |
| Width | 3.3 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Distrelec Product Id | 304-32-535 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 35A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series SiSH101DN | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 52W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 68nC | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.3mm | ||
Height 0.93mm | ||
Width 3.3 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Distrelec Product Id 304-32-535 | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiSH101DN Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS05DN Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS73DN Type P-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Si7121DN Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS61DN Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8