Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 0.5 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-89

RS Stock No.:: 180-7262
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI1034CX-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 0.5 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-89

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB19,530.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB20,910.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB6.51	THB19,530.00
6000 - 9000	THB6.315	THB18,945.00
12000 +	THB6.125	THB18,375.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7262
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI1034CX-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	0.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SC-89
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.396Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	220mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.3nC
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	1.7mm
	Standards/Approvals	No
	Height	0.6mm
	Width	1.2 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 0.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SC-89
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.396Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 220mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.3nC
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 1.7mm
	Standards/Approvals No
	Height 0.6mm
	Width 1.2 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount dual N-channel MOSFET has a drain-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 396mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power rating of 220mW. The MOSFET has continuous drain current of 610mA. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Gate source ESD protected: 1000V

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Battery powered devices

• Drivers: relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories

• Load/power switching for portable devices

• Power supply converter circuits

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested