Vishay SiHG22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG22N60EF-GE3
- RS Stock No.:
- 188-4992
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG22N60EF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB321.84
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB344.36
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- เพิ่มอีก 448 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 4 | THB160.92 | THB321.84 |
| 6 - 10 | THB156.895 | THB313.79 |
| 12 + | THB154.485 | THB308.97 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-4992
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG22N60EF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 19A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | SiHG22N60EF | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 182mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5.31 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 20.82mm | |
| Length | 15.87mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Distrelec Product Id | 304-38-849 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 19A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series SiHG22N60EF | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 182mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5.31 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 20.82mm | ||
Length 15.87mm | ||
Automotive Standard No | ||
Distrelec Product Id 304-38-849 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiHG22N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay SiHB22N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB22N60EF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA22N60EF-GE3
- Vishay SiHP22N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP22N60EF-GE3
- Vishay SiHP22N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay SiHB22N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK155N60E-T1-GE3
