Vishay SiHG22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247

RS Stock No.:: 188-4877
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHG22N60EF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SiHG22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 25 ชิ้น)*

THB2,530.70

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,707.85

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 425 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
25 - 25	THB101.228	THB2,530.70
50 - 75	THB99.027	THB2,475.68
100 +	THB96.826	THB2,420.65

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-4877
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHG22N60EF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	SiHG22N60EF
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	182mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	179W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	48nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	15.87mm
	Height	20.82mm
	Standards/Approvals	No
	Width	5.31 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series SiHG22N60EF
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 182mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 179W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 15.87mm
	Height 20.82mm
	Standards/Approvals No
	Width 5.31 mm
	Automotive Standard No

Datasheet SIHG22N60EF-GE3

EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

Vishay SiHG22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง