Vishay SiHP22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 188-4878
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHP22N60EF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB4,646.95
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,972.25
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 4,650 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB92.939 | THB4,646.95 |
| 100 - 150 | THB90.918 | THB4,545.90 |
| 200 + | THB88.897 | THB4,444.85 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-4878
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHP22N60EF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 19A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | SiHP22N60EF | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 182mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 9.01mm | |
| Length | 10.51mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.65 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 19A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series SiHP22N60EF | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 182mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 9.01mm | ||
Length 10.51mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.65 mm | ||
Automotive Standard No | ||
EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low input capacitance (Ciss)
Reduced switching and conduction losses
APPLICATIONS
Server and telecom power supplies
Switch mode power supplies (SMPS)
Power factor correction power supplies (PFC)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiHP22N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP22N60EF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay SiHB22N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay SiHG22N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA22N60EF-GE3
- Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH150N60E-T1-GE3
- Vishay SiHG22N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG22N60EF-GE3
- Vishay SiHB22N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB22N60EF-GE3
