Vishay SiHW21N80AE Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 188-4880
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHW21N80AE-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB3,466.95
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,709.65
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB115.565 | THB3,466.95 |
| 60 - 90 | THB113.053 | THB3,391.59 |
| 120 + | THB110.54 | THB3,316.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-4880
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHW21N80AE-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | SiHW21N80AE | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 235mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 32W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 16.26mm | |
| Height | 21.46mm | |
| Width | 5.31 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series SiHW21N80AE | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 235mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 32W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 16.26mm | ||
Height 21.46mm | ||
Width 5.31 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
E Series Power MOSFET.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
APPLICATIONS
Server and telecom power supplies
Switch mode power supplies (SMPS)
Power factor correction power supplies (PFC)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiHW21N80AE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHW21N80AE-GE3
- Vishay SiHG21N80AE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay SiHG21N80AE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG21N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB21N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247